米兰





漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

650V,190mΩ,20A,N沟道基于（yú）超级结技术的（de）功（gōng）率MOSFET


米兰

米兰