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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

150

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

180

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

600V,180mΩ,20A,N沟道基于超（chāo）级结技术的（de）功率MOSFET


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