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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

40

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

600V，99mΩ，40A，N沟（gōu）道基（jī）于超级（jí）结技术的功率MOSFET



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