米兰






漏源电压BV DSS (V)(Min.):

550

导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

110

导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.):

140

最(zuì)大漏极电流Id(on)(A):

25

通道极性:

N沟道

封装/温度(℃):

TO-247-3L/-55~125

描述:

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的(de)功(gōng)率MOSFET



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