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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极（jí）性：

N沟道

封（fēng）装/温（wēn）度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描述：

600V，190mΩ，20A，N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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