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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

320

导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

400

最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

15

驱动（dòng）电压(V)：

10

通道极性（xìng）：

N沟道

封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描述（shù）：

700V,400mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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