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漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导（dǎo）通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

650V,360mΩ,11A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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