米兰





漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

115

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏极（jí）电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

24

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟道（dào）基于超级（jí）结技术（shù）的（de）功率MOSFET



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