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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的功（gōng）率MOSFET


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