米兰





漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

47

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

650V,74mΩ,47A,N沟道（dào）基于（yú）超级结技术的功率MOSFET



米兰

米兰