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漏源电压BV DSS (V)(Min.):

550

导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

140

最大漏极电流Id(on)(A):

25

通道(dào)极性:

N沟道

封装/温(wēn)度(℃):

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述:

550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功(gōng)率MOSFET



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