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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 550 |
导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 120 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 140 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 25 |
通道(dào)极性: | N沟道 |
封装/温(wēn)度(℃): | TO-263-2L(D2PAK)/-55~125 |
描述: | 550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功(gōng)率MOSFET |
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