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漏（lòu）源（yuán）电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

900

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

1100

最大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

5

通道极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述（shù）：

700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结技（jì）术的（de）功率MOSFET


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