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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

700

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大漏极电流Id(on)(A)：

11

通（tōng）道（dào）极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

700V,430mΩ,11A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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