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产品中(zhōng)心
漏(lòu)源电压BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 83 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 99 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 40 |
通道极性: | N沟道(dào) |
封装(zhuāng)/温(wēn)度(℃): | TO-247-3L/-55~125 |
描述: | 600V,99mΩ,40A,N沟(gōu)道基于超级结技术的功率MOSFET |
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