米兰





漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

5

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

DPAK-3/-55~125

描述：

650V,850mΩ,5A,N沟道基于（yú）超级（jí）结技术（shù）的功率MOSFET


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