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漏源电压BV DSS (V)(Min.):

650

导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

250

导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

290

最大漏极(jí)电(diàn)流Id(on)(A):

15

通道极性:

N沟道

封(fēng)装/温度(dù)(℃):

TO-220F-3L/-55~125

描述:

650V,290mΩ,15A,N沟(gōu)道基于超级结技术的功率MOSFET


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