米兰





漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

130

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

30

通道极（jí）性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,130mΩ,30A,N沟道基（jī）于超级结技术（shù）的（de）功率MOSFET


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