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漏（lòu）源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

7

通道极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,600mΩ,5A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET



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