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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

11

驱动电压(V)：

10

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

TO-220-3/-55~125

描述：

650V，360mΩ，11A，N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET



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