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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏极电流Id(on)(A)：

5

通道极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-251-3L(IPAK)/-55~125

描述：

650V,850mΩ,5A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET



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