米兰





漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

150

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

180

最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

20

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,180mΩ,20A,N沟道基于超级（jí）结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET


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