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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道极（jí）性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,70mΩ,47A,N沟（gōu）道基（jī）于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET


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