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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

7

通（tōng）道极（jí）性：

N沟道

封装/温度(℃)：

SOT-223-2L/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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