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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最（zuì）大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

25

通（tōng）道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

550V,140mΩ,25A,N沟道基于（yú）超级结技术的功（gōng）率MOSFET



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