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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

47

通道（dào）极（jí）性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技（jì）术的功率MOSFET



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