
PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 700 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 380 |
导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.): | 430 |
最大漏极(jí)电流Id(on)(A): | 11 |
通道极性: | N沟道 |
封(fēng)装/温(wēn)度(℃): | TO-252-2L(DPAK)/-55~125 |
描述: | 700V,430mΩ,11A,N沟道基于超级结技术的(de)功率MOSFET |
-
产品中心
-
应用方案(àn)
-
技术支(zhī)持
-
新闻(wén)资讯(xùn)
-
关于我们

添加官(guān)方客服 快速申(shēn)请样品

关注官方(fāng)微信公众号 随时掌(zhǎng)握最(zuì)新(xīn)动态
版(bǎn)权所有©2021 武(wǔ)汉米兰和芯源半(bàn)导(dǎo)体有(yǒu)限公司
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂ICP备2022001247号(hào)
