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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最大（dà）漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

40

通道（dào）极性（xìng）：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,99mΩ,40A,N沟道（dào）基于超级（jí）结技术的（de）功（gōng）率MOSFET


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