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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

130

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

30

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

600V,130mΩ,30A,N沟道基（jī）于超级结技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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