米兰





漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

7

通道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描述：

650V,600mΩ,5A,N沟（gōu）道基于超级结技术的（de）功率（lǜ）MOSFET



米兰

米兰