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漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

20

通（tōng）道（dào）极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

550V,190mΩ,20A,N沟道基（jī）于超（chāo）级（jí）结技术的功率MOSFET


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