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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

8

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-252-2L/-55~125

描述：

550V,580mΩ,8A,N沟道基于超（chāo）级结技术（shù）的功率MOSFET


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