米兰





漏（lòu）源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

300

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

360

最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟（gōu）道（dào）

封（fēng）装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-263-2L/-55~125

描述：

650V,360mΩ,11A,N沟道基于超级结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET


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