米兰





漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

7

通（tōng）道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

PDFN5*6/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级（jí）结技术的功（gōng）率MOSFET


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