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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 550 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 170 |
导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 190 |
最(zuì)大(dà)漏极电(diàn)流Id(on)(A): | 20 |
通道极性(xìng): | N沟道(dào) |
封(fēng)装/温度(℃): | TO-220F-3L/-55~125 |
描述: | 550V,190mΩ,20A,N沟道(dào)基于超级结(jié)技术(shù)的功率MOSFET |
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