米兰






漏源电压BV DSS (V)(Min.):

550

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

170

导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

190

最(zuì)大(dà)漏极电(diàn)流Id(on)(A):

20

通道极性(xìng):

N沟道(dào)

封(fēng)装/温度(℃):

TO-220F-3L/-55~125

描述:

550V,190mΩ,20A,N沟道(dào)基于超级结(jié)技术(shù)的功率MOSFET


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